Держатель вафель Epi

Принцип работы держателя Epi Wafer Holder заключается в удержании пластины во время процесса эпитаксии, чтобы гарантировать, чтовафлянаходится в среде точной температуры и потока газа, так что эпитаксиальный материал может быть равномерно нанесен на поверхность пластины. В условиях высоких температур этот продукт может прочно зафиксировать пластину в реакционной камере, избегая при этом таких проблем, как царапины и загрязнение поверхности пластины частицами.

Держатель вафель Epi обычно изготавливается изкарбид кремния (SiC). SiC имеет низкий коэффициент теплового расширения около 4,0 x 10^.^-6/°C, что помогает сохранить стабильность размеров держателя при высоких температурах и избежать напряжения пластины, вызванного тепловым расширением. В сочетании с превосходной стабильностью при высоких температурах (способность выдерживать высокие температуры 1200–1600 °C), коррозионной стойкостью и теплопроводностью (теплопроводность обычно составляет 120–160 Вт/мК), карбид кремния является идеальным материалом для эпитаксиальных держателей пластин. .

Epi Wafer Holder играет жизненно важную роль в эпитаксиальном процессе. Его основная функция — обеспечить стабильный носитель в условиях высокой температуры и агрессивной газовой среды, гарантируя, что пластина не подвергнется воздействию во время процесса.процесс эпитаксиального роста, обеспечивая при этом равномерный рост эпитаксиального слоя.В частности, следующим образом:

Фиксация пластины и точное выравнивание: высокоточный держатель пластин Epi надежно фиксирует пластину в геометрическом центре реакционной камеры, гарантируя, что поверхность пластины образует лучший угол контакта с потоком реакционного газа. Такое точное выравнивание не только обеспечивает однородность нанесения эпитаксиального слоя, но также эффективно снижает концентрацию напряжений, вызванную отклонением положения пластины.

Равномерный нагрев и контроль теплового поля: Превосходная теплопроводность карбида кремния (SiC) (теплопроводность обычно составляет 120-160 Вт/мК) обеспечивает эффективную теплопередачу пластин в высокотемпературных эпитаксиальных средах. В то же время распределение температуры в системе нагрева точно контролируется, чтобы обеспечить равномерную температуру по всей поверхности пластины. Это эффективно позволяет избежать тепловых напряжений, вызванных чрезмерными перепадами температур, тем самым значительно снижая вероятность возникновения дефектов, таких как коробление пластин и трещин.

Контроль загрязнения частицами и чистота материала: Использование подложек SiC высокой чистоты и графитовых материалов с CVD-покрытием значительно снижает образование и диффузию частиц в процессе эпитаксии. Эти материалы высокой чистоты не только обеспечивают чистую среду для роста эпитаксиального слоя, но также помогают уменьшить дефекты интерфейса, тем самым улучшая качество и надежность эпитаксиального слоя.

Коррозионная стойкость: Держатель должен быть устойчив к агрессивным газам (таким как аммиак, триметилгаллий и т. д.), используемым вМОКВДили LPCVD, поэтому превосходная коррозионная стойкость материалов SiC помогает продлить срок службы кронштейна и обеспечить надежность производственного процесса.

VeTek Semiconductor поддерживает индивидуальные услуги по продуктам, поэтому Epi Wafer Holder может предоставить вам индивидуальные услуги по продуктам в зависимости от размера пластины (100 мм, 150 мм, 200 мм, 300 мм и т. д.). Мы искренне надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.

СЭМ-ДАННЫЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ ПЛЕНКИ CVD SIC:

Основные физические свойства покрытия CVD SiC：

Держатель пластин VeTek Semiconductor Epi Производственные цеха: