VeTek Semiconductor является новатором в производстве SiC-покрытий в Китае. Кольцо предварительного нагрева, предоставленное VeTek Semiconductor, предназначено для процесса эпитаксии. Равномерное покрытие из карбида кремния и высококачественный графитовый материал в качестве сырья обеспечивают равномерное осаждение и улучшают качество и однородность эпитаксиального слоя. Мы надеемся на долгосрочное сотрудничество с вами.
Кольцо предварительного нагрева — это ключевое оборудование, специально разработанное для эпитаксиального (EPI) процесса в производстве полупроводников. Он используется для предварительного нагрева пластин перед процессом EPI, обеспечивая температурную стабильность и однородность на протяжении всего эпитаксиального роста.
Наше кольцо предварительного нагрева EPI, изготовленное компанией VeTek Semiconductor, обладает рядом примечательных особенностей и преимуществ. Во-первых, он изготовлен из материалов с высокой теплопроводностью, что обеспечивает быструю и равномерную передачу тепла к поверхности пластины. Это предотвращает образование горячих точек и температурных градиентов, обеспечивая равномерное осаждение и улучшая качество и однородность эпитаксиального слоя.
Кроме того, наше кольцо предварительного нагрева EPI оснащено усовершенствованной системой контроля температуры, позволяющей точно и последовательно контролировать температуру предварительного нагрева. Этот уровень контроля повышает точность и повторяемость важнейших этапов, таких как рост кристаллов, осаждение материала и реакции на границе раздела в процессе EPI.
Долговечность и надежность являются важными аспектами конструкции нашей продукции. Кольцо предварительного нагрева EPI рассчитано на то, чтобы выдерживать высокие температуры и рабочее давление, сохраняя стабильность и производительность в течение длительного периода времени. Такой подход к проектированию снижает затраты на техническое обслуживание и замену, обеспечивая долгосрочную надежность и эксплуатационную эффективность.
Установка и эксплуатация кольца предварительного нагрева EPI просты, поскольку оно совместимо с обычным оборудованием EPI. Он оснащен удобным механизмом размещения и извлечения пластин, что повышает удобство и эффективность работы.
В VeTek Semiconductor мы также предлагаем услуги по настройке для удовлетворения конкретных требований клиентов. Это включает в себя адаптацию размера, формы и температурного диапазона кольца предварительного нагрева EPI в соответствии с уникальными производственными потребностями.
Для исследователей и производителей, занимающихся эпитаксиальным выращиванием и производством полупроводниковых устройств, кольцо предварительного нагрева EPI от VeTek Semiconductor обеспечивает исключительную производительность и надежную поддержку. Он служит важнейшим инструментом для достижения высококачественного эпитаксиального выращивания и обеспечения эффективных процессов производства полупроводниковых устройств.
Основные физические свойства покрытия CVD SiC | |
Свойство | Типичное значение |
Кристальная структура | FCC β-фаза поликристаллическая, преимущественно (111) ориентированная |
Плотность | 3,21 г/см³ |
Твердость | Твердость 2500 по Виккерсу (нагрузка 500 г) |
Размер зерна | 2~10 мкм |
Химическая чистота | 99,99995% |
Теплоемкость | 640 Дж·кг-1·К-1 |
Температура сублимации | 2700℃ |
Предел прочности при изгибе | 415 МПа РТ 4-точечный |
Модуль для младших | Изгиб 430 ГПа, 4 точки, 1300 ℃ |
Теплопроводность | 300Вт·м-1·К-1 |
Тепловое расширение (КТР) | 4,5×10-6К-1 |