Графитовый цилиндр CVD SiC компании Vetek Semiconductor имеет решающее значение в полупроводниковом оборудовании, служащий защитным экраном внутри реакторов для защиты внутренних компонентов в условиях высоких температур и давлений. Он эффективно защищает от химикатов и высоких температур, сохраняя целостность оборудования. Обладая исключительной стойкостью к износу и коррозии, он обеспечивает долговечность и стабильность в сложных условиях эксплуатации. Использование этих чехлов повышает производительность полупроводниковых устройств, продлевает срок их службы, а также снижает требования к техническому обслуживанию и снижает риски повреждения. Обращайтесь к нам.
Графитовый цилиндр CVD SiC компании Vetek Semiconductor играет важную роль в полупроводниковом оборудовании. Обычно он используется в качестве защитного покрытия внутри реактора для обеспечения защиты внутренних компонентов реактора в условиях высокой температуры и высокого давления. Эта защитная крышка может эффективно изолировать химические вещества и высокие температуры в реакторе, предотвращая повреждение оборудования. В то же время графитовый цилиндр CVD SiC также обладает превосходной стойкостью к износу и коррозии, что позволяет ему сохранять стабильность и долговечность в суровых рабочих условиях. Используя защитные чехлы из этого материала, можно улучшить производительность и надежность полупроводниковых устройств, продлевая срок службы устройства, одновременно уменьшая необходимость технического обслуживания и риск повреждения.
Графитовый цилиндр CVD SiC имеет широкий спектр применения в полупроводниковом оборудовании, включая, помимо прочего, следующие аспекты:
Оборудование для термообработки: графитовый цилиндр CVD SiC можно использовать в качестве защитного кожуха или теплового экрана в оборудовании для термообработки для защиты внутренних компонентов от высоких температур, обеспечивая при этом превосходную устойчивость к высоким температурам.
Реактор химического осаждения из паровой фазы (CVD): В реакторе CVD графитовый цилиндр CVD SiC можно использовать в качестве защитной крышки для камеры химической реакции, эффективно изолируя реакционное вещество и обеспечивая коррозионную стойкость.
Применение в агрессивных средах. Благодаря превосходной коррозионной стойкости графитовый цилиндр CVD SiC можно использовать в химически корродированных средах, таких как агрессивные газовые или жидкие среды при производстве полупроводников.
Оборудование для выращивания полупроводников: защитные крышки или другие компоненты, используемые в оборудовании для выращивания полупроводников, для защиты оборудования от высоких температур, химической коррозии и износа, чтобы обеспечить стабильность и долгосрочную надежность оборудования.
Высокая температурная стабильность, коррозионная стойкость, отличные механические свойства, теплопроводность. Благодаря этим превосходным характеристикам он помогает более эффективно рассеивать тепло в полупроводниковых устройствах, поддерживая стабильность и производительность устройства.
Основные физические свойства покрытия CVD SiC | |
Свойство | Типичное значение |
Кристаллическая структура | FCC β-фаза поликристаллическая, преимущественно (111) ориентированная |
Плотность | 3,21 г/см³ |
Твердость | Твердость 2500 по Виккерсу (нагрузка 500 г) |
Размер зерна | 2~10 мкм |
Химическая чистота | 99,99995% |
Теплоемкость | 640 Дж·кг-1·К-1 |
Температура сублимации | 2700℃ |
изгибная прочность | 415 МПа РТ 4-точечный |
Модуль Юнга | Изгиб 430 ГПа, 4 точки, 1300 ℃ |
Теплопроводность | 300Вт·м-1·К-1 |
Тепловое расширение (КТР) | 4,5×10-6К-1 |