Сопло для нанесения покрытия CVD SiC

VeTek Semiconductor является специализированным производителем аксессуаров для нанесения покрытия CVD SiC для эпитаксиальных устройств, таких как детали полумесяца с покрытием CVD SiC и аксессуары для насадок с покрытием CVD SiC. Добро пожаловать к нам.

PE1O8 — это полностью автоматическая система картриджей, предназначенная для работы с пластинами SiC длиной до 200 мм. Формат можно переключать между 150 и 200 мм, что сводит к минимуму время простоя инструмента. Сокращение этапов нагрева повышает производительность, а автоматизация сокращает трудозатраты и повышает качество и повторяемость. Сообщается, что для обеспечения эффективного и экономически конкурентоспособного процесса эпитаксии используются три основных фактора: 1) быстрый процесс, 2) высокая однородность толщины и легирования и 3) минимизация образования дефектов во время процесса эпитаксии. В PE1O8 небольшая масса графита и автоматическая система загрузки/разгрузки позволяют выполнить стандартный цикл менее чем за 75 минут (стандартная конструкция диода Шоттки 10 мкм использует скорость роста 30 мкм/ч). Автоматическая система позволяет осуществлять загрузку/разгрузку при высоких температурах. В результате время нагрева и охлаждения сокращается, а этап выпекания блокируется. Эти идеальные условия позволяют выращивать настоящие нелегированные материалы.

В процессе эпитаксии карбида кремния сопла для нанесения покрытия CVD SiC играют решающую роль в росте и качестве эпитаксиальных слоев. Вот расширенное объяснение роли сопел в эпитаксии карбида кремния:

Подача и контроль газа: Форсунки используются для подачи газовой смеси, необходимой во время эпитаксии, включая газ-источник кремния и газ-источник углерода. С помощью сопел можно точно контролировать расход и соотношение газа, чтобы обеспечить равномерный рост эпитаксиального слоя и желаемый химический состав.

Контроль температуры: сопла также помогают контролировать температуру внутри эпитаксионного реактора. При эпитаксии карбида кремния температура является критическим фактором, влияющим на скорость роста и качество кристаллов. Путем подачи тепла или охлаждающего газа через сопла температуру роста эпитаксиального слоя можно регулировать для достижения оптимальных условий роста.

Распределение потока газа. Конструкция форсунок влияет на равномерное распределение газа внутри реактора. Равномерное распределение потока газа обеспечивает однородность эпитаксиального слоя и постоянную толщину, позволяя избежать проблем, связанных с неоднородностью качества материала.

Предотвращение загрязнения примесями. Правильная конструкция и использование насадок могут помочь предотвратить загрязнение примесями во время процесса эпитаксии. Соответствующая конструкция сопла сводит к минимуму вероятность попадания в реактор посторонних примесей, обеспечивая чистоту и качество эпитаксиального слоя.

Основные физические свойства покрытия CVD SiC:

Производственные цеха:

Обзор производственной цепочки эпитаксии полупроводниковых чипов: