Сопла для нанесения покрытия CVD SiC компании Vetek Semiconductor являются важнейшими компонентами, используемыми в процессе эпитаксии LPE SiC для нанесения материалов карбида кремния при производстве полупроводников. Эти сопла обычно изготавливаются из высокотемпературного и химически стабильного карбидокремниевого материала, что обеспечивает стабильность в суровых технологических условиях. Разработанные для равномерного осаждения, они играют ключевую роль в контроле качества и однородности эпитаксиальных слоев, выращенных в полупроводниковых приложениях. Надеемся на долгосрочное сотрудничество с вами.
VeTek Semiconductor является специализированным производителем аксессуаров для нанесения покрытия CVD SiC для эпитаксиальных устройств, таких как детали полумесяца с покрытием CVD SiC и аксессуары для насадок с покрытием CVD SiC. Добро пожаловать к нам.
PE1O8 — это полностью автоматическая система картриджей, предназначенная для обработкиSiC пластиныдо 200мм. Формат можно переключать между 150 и 200 мм, что сводит к минимуму время простоя инструмента. Сокращение этапов нагрева повышает производительность, а автоматизация сокращает трудозатраты и повышает качество и повторяемость. Сообщается, что для обеспечения эффективного и экономически конкурентоспособного процесса эпитаксии необходимо учитывать три основных фактора:
● быстрый процесс;
● высокая однородность толщины и легирования;
● минимизация образования дефектов в процессе эпитаксии.
В PE1O8 небольшая масса графита и автоматическая система загрузки/разгрузки позволяют выполнить стандартный цикл менее чем за 75 минут (стандартная конструкция диода Шоттки 10 мкм использует скорость роста 30 мкм/ч). Автоматическая система позволяет осуществлять загрузку/разгрузку при высоких температурах. В результате время нагрева и охлаждения сокращается, а этап выпекания блокируется. Эти идеальные условия позволяют выращивать настоящие нелегированные материалы.
В процессе эпитаксии карбида кремния сопла для нанесения покрытия CVD SiC играют решающую роль в росте и качестве эпитаксиальных слоев. Вот расширенное объяснение роли насадок вэпитаксия карбида кремния:
![]()
● Газоснабжение и контроль: Сопла используются для подачи газовой смеси, необходимой во время эпитаксии, включая газ-источник кремния и газ-источник углерода. С помощью сопел можно точно контролировать расход и соотношение газа, чтобы обеспечить равномерный рост эпитаксиального слоя и желаемый химический состав.
● Контроль температуры: Сопла также помогают контролировать температуру внутри эпитаксионного реактора. При эпитаксии карбида кремния температура является критическим фактором, влияющим на скорость роста и качество кристаллов. Путем подачи тепла или охлаждающего газа через сопла температуру роста эпитаксиального слоя можно регулировать для достижения оптимальных условий роста.
● Распределение потоков газа: Конструкция сопел влияет на равномерное распределение газа внутри реактора. Равномерное распределение потока газа обеспечивает однородность эпитаксиального слоя и постоянную толщину, что позволяет избежать проблем, связанных с неоднородностью качества материала.
● Предотвращение загрязнения примесями.: Правильная конструкция и использование насадок могут помочь предотвратить загрязнение примесями во время процесса эпитаксии. Подходящая конструкция сопла сводит к минимуму вероятность попадания в реактор посторонних примесей, обеспечивая чистоту и качество эпитаксиального слоя.
Основные физические свойства покрытия CVD SiC | |
Свойство | Типичное значение |
Кристаллическая структура | FCC β-фаза поликристаллическая, преимущественно (111) ориентированная |
Покрытие SiC Плотность | 3,21 г/см³ |
Твердость | Твердость 2500 по Виккерсу (нагрузка 500 г) |
Размер зерна | 2~10 мкм |
Химическая чистота | 99,99995% |
Теплоемкость | 640 Дж·кг-1·К-1 |
Температура сублимации | 2700℃ |
изгибная прочность | 415 МПа РТ 4-точечный |
Модуль Юнга | Изгиб 430 ГПа, 4 точки, 1300 ℃ |
Теплопроводность | 300 Вт·м-1·К-1 |
Тепловое расширение (КТР) | 4,5×10-6K-1 |