Потолок с покрытием CVD SiC

ВеТек Полупроводник Потолок с покрытием CVD SiCшироко используется в области обработки полупроводников благодаря своим превосходным характеристикам. Он может не только эффективно защитить окружающую среду в чистых помещениях, но также повысить эффективность производства и снизить производственные затраты. Мы искренне приветствуем вашу консультацию.

Особая роль ВеТек ПолупроводникПотолок с покрытием CVD SiCв области обработки полупроводников заключается в следующем:

Защита окружающей среды в чистых помещениях:

Защита от загрязнения: Поверхность покрытия SiC гладкая и плотная, на ней нелегко адсорбировать твердые частицы, что эффективно предотвращает диффузию твердых частиц в условиях чистой комнаты и обеспечивает высокую чистоту продукта.

Устойчивость к химической коррозии: покрытие SiC может противостоять коррозии сильных кислот, сильных щелочей и других химикатов, защищать конструкцию потолка и продлевать срок службы.

Статический контроль:

Уменьшите статическое электричество: Покрытие SiC обладает хорошей проводимостью, что позволяет эффективно уменьшить образование и накопление статического электричества, а также уменьшить повреждение полупроводниковых устройств статическим электричеством.

Управление температурным режимом:

Тепловыделение: Высокая теплопроводность карбида кремния помогает быстро рассеивать тепло, снижать температуру в чистом помещении и обеспечивать стабильную рабочую среду для прецизионных инструментов и оборудования.

Износостойкость: Продление срока службы: Покрытие SiC обладает чрезвычайно высокой твердостью, что позволяет эффективно противостоять износу, продлевать срок службы потолка и снижать затраты на техническое обслуживание.

В будущем, с непрерывным развитием полупроводниковых технологий,Потолки с покрытием CVD SiCбудет использоваться в большем количестве областей, обеспечивая более надежные гарантии развития полупроводниковой промышленности.

Параметр продукта:

Потолок с покрытием CVD SiCПроизводственные цеха:

Обзор производственной цепочки эпитаксии полупроводниковых чипов：