Тигель для монокристаллического кремния

В методе Чохральского монокристалл выращивается путем контакта монокристаллической затравки с расплавленным поликристаллическим кремнием. Семя постепенно вытягивается вверх при медленном вращении. В этом процессе используется значительное количество графитовых деталей, что делает его методом, в котором используется наибольшее количество графитовых компонентов при производстве кремниевых полупроводников.

На рисунке ниже схематично изображена печь для производства монокристаллов кремния, основанная на методе CZ.

Тигель для монокристаллического кремния Vetek Semiconductor обеспечивает стабильную и контролируемую среду, необходимую для точного формирования полупроводниковых кристаллов. Они играют важную роль в выращивании слитков монокристаллического кремния с использованием передовых технологий, таких как процесс Чохральского и методы флотационной зоны, которые жизненно важны для производства высококачественных материалов для электронных устройств.

Эти тигли, разработанные для обеспечения превосходной термической стабильности, устойчивости к химической коррозии и минимального теплового расширения, обеспечивают долговечность и надежность. Они спроектированы так, чтобы выдерживать суровые химические среды без ущерба для структурной целостности или производительности, тем самым продлевая срок службы тигля и поддерживая стабильные характеристики при длительном использовании.

Уникальный состав тиглей Vetek Semiconductor для монокристаллического кремния позволяет им выдерживать экстремальные условия высокотемпературной обработки. Это гарантирует исключительную термическую стабильность и чистоту, которые имеют решающее значение для обработки полупроводников. Композиция также способствует эффективной теплопередаче, способствуя равномерной кристаллизации и минимизируя температурные градиенты внутри расплава кремния.

Преимущества нашего токоприемника с покрытием SiC:

Защита основного материала: покрытие CVD SiC действует как защитный слой во время эпитаксиального процесса, эффективно защищая основной материал от эрозии и повреждений, вызванных внешней средой. Эта защитная мера значительно продлевает срок службы оборудования.

Отличная теплопроводность: наше CVD-покрытие SiC обладает превосходной теплопроводностью, эффективно передавая тепло от основного материала к поверхности покрытия. Это повышает эффективность управления температурным режимом во время эпитаксии, обеспечивая оптимальные рабочие температуры для оборудования.

Улучшенное качество пленки: покрытие CVD SiC обеспечивает плоскую и однородную поверхность, создавая идеальную основу для роста пленки. Он уменьшает дефекты, возникающие из-за несоответствия решеток, повышает кристалличность и качество эпитаксиальной пленки и, в конечном итоге, улучшает ее характеристики и надежность.

Выберите наш токоприемник с SiC-покрытием для нужд производства эпитаксиальных пластин и получите преимущества улучшенной защиты, превосходной теплопроводности и улучшенного качества пленки. Доверьтесь инновационным решениям VeTek Semiconductor, чтобы добиться успеха в полупроводниковой промышленности.

Производственные цеха:

Обзор производственной цепочки эпитаксии полупроводниковых чипов: